एक संस्मरण क्या है और आप इसका उपयोग कैसे करते हैं?

तकनीकी शब्द "मेमिस्टर" दो अंग्रेजी शब्दों से बना है: पहला "मेमोरी" या मेमोरी है, और दूसरा रेसिस्टर (प्रतिरोध) है। सेल का सार यह है कि इसकी चालकता इसके माध्यम से पारित चार्ज के आधार पर बदलती है (अर्थात, यह प्रक्रियाओं के इतिहास पर निर्भर करती है)। इसके अलावा, यह निर्भरता समय के साथ एकीकृत वर्तमान के मूल्य के सीधे आनुपातिक है।

आंतरिक मेमोरी वाले उपकरणों के वर्गीकरण के अनुसार, मेमिस्टर को हिस्टैरिसीस गुणों के साथ एक गैर-इलेक्ट्रॉनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण के रूप में वर्गीकृत किया जा सकता है। यही है, अपने कार्यात्मक उद्देश्य के संदर्भ में, यह तत्व माइक्रोएलेक्ट्रोनिक घटकों की श्रेणी से संबंधित है, जिसमें पिछले राज्यों (नीचे फोटो) को याद रखने की क्षमता है।

कंप्यूटिंग का एक नया युग

पिछली शताब्दी के 70 के दशक में, वैज्ञानिकों ने एक सैद्धांतिक मॉडल विकसित किया जो ऑब्जेक्ट पर लागू वोल्टेज और वर्तमान घटक के समय के अभिन्न अंग के बीच संबंधों का वर्णन करता है। और केवल 2008 तक, एक प्रतिरोधक तत्व का पहला नमूना बनाया गया था, आंशिक रूप से घोषित गुणों के अनुरूप।

वर्तमान प्रभावों के लिए इसकी प्रतिक्रिया इसके चुंबकीय प्रवाह के साथ एक अधिष्ठापन के व्यवहार के समान नहीं थी, न ही एक संधारित्र के लिए जो एक चार्ज जमा करता है। और एक ही समय में, यह एक साधारण रोकनेवाला की तरह नहीं आरोपों के आंदोलन पर प्रतिक्रिया व्यक्त की। यह पता चला कि वैज्ञानिक पहले तीन से अलग एक चौथा विद्युत तत्व प्राप्त करने में कामयाब रहे!

2-परत की फिल्म में केवल 5 एनएम मोटी होने वाली रासायनिक प्रतिक्रियाओं के कारण नए घटक के प्रवाहकीय गुण बदल गए। इनमें से ऑक्सीजन के अणुओं के बहिर्वाह के कारण इनमें से पहली परत विशेष रूप से नष्ट हो गई थी। जब वोल्टेज लागू किया गया था, तो चार्ज के साथ मुक्त ऑक्सीजन कोशिकाएं परतों के बीच "भटकना" शुरू हुईं, जिससे तत्व के प्रतिरोध में बदलाव आया।

वह अब चालकता के पिछले मूल्य पर नहीं लौट सकता था, जिसका अर्थ "शून्य" से "एक" तक एक तत्व का तात्कालिक सशर्त संक्रमण था। संस्मरणकर्ता में हिस्टैरिसीस की घटना ने अध्ययन के शुरुआती चरण में, संभवतया यह देखने के लिए कि यह एक मेमोरी सेल है जो अर्धचालक तत्वों को सफलतापूर्वक बदलने में सक्षम है।

आवेदन की संभावनाएं

सैद्धांतिक रूप से संस्मरणकर्ताओं की निम्न विशेषताएं निम्नलिखित संभावनाओं को खोलती हैं:

• आधुनिक फ्लैश ड्राइव की तुलना में बेहतर विशेषताओं के साथ स्मृति तत्वों का निर्माण।
• उन उपकरणों के इलेक्ट्रॉनिक डेटाबेस का पूर्ण अद्यतन जहां मेमोरी सेल का उपयोग किया जाता है।
• उनकी कार्यक्षमता में उल्लेखनीय वृद्धि हुई है।

जरूरी!चूंकि संस्मरण वास्तव में इसके माध्यम से पारित चार्ज को ठीक करता है - जब पीसी में ऐसी कोशिकाओं का उपयोग करते हैं, उदाहरण के लिए, आप सिस्टम को लोड किए बिना कर सकते हैं।

जब आप कंप्यूटर चालू करते हैं, तो यह उस स्थिति से काम करना शुरू कर देगा, जिसमें यह एक दिन पहले बंद कर दिया गया था। बेशक, ये सभी केवल सैद्धांतिक धारणाएं हैं जिन्हें निकट भविष्य में व्यावहारिक पुष्टि की आवश्यकता होती है।